SGW6N60UFDTM datasheet
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>> SGW6N60UFDTM IGBT 晶体管 600V/3A/W/FRD datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SGW6N60UFDTM
库存数量:
可订货
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IGBT 晶体管 600V/3A/W/FRD
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述
IGBT 晶体管 600V/3A/W/FRD
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
D2PAK-3
封装
Reel
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属性
链接
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SGW6N60UFDTM
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供应商
公司名
电话
深圳市禧创科技有限公司
13509620153
罗双
深圳市柏新电子科技有限公司
0755-88377780
林小姐//方先生
万三科技(深圳)有限公司
17722625241
张国龙
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
深圳市鹏拓发展电子
0755-82773839
马先生 林先生 马小姐
SGW6N60UFDTM 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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